硅 ( Si ) 颗粒
熔 点: 1410℃ 密度: 2.42g/cm3
规格：1-6mm 纯度：4N
蒸 发 方 法: eBeam ( fair)
坩 埚 材 料: Ta， graphite, BeO
备 注: 高沉积速率是可能的，但熔化硅会侵蚀石墨内衬，限制坩埚内衬的使用寿命。
(以上规格纯度均可按需定制，如需其他规格纯度，可咨询客服)
硅 ( Si ) 颗粒
熔 点: 1410℃ 密度: 2.42g/cm3
规格：1-6mm 纯度：4N
蒸 发 方 法: eBeam ( fair)
坩 埚 材 料: Ta， graphite, BeO
备 注: 高沉积速率是可能的，但熔化硅会侵蚀石墨内衬，限制坩埚内衬的使用寿命。
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