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镍合金靶材
镍钒合金靶材
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镍钒合金靶材
镍钒合金靶材
镍钒合金靶材

镍钒合金靶材

在集成电路的膜层中一般用金做导电层,但金与晶圆(硅 容易生成AuSi低熔点化合物,导致金与硅界面粘接不牢固,因此在金和硅晶圆的表面之间增加了粘接层。一般用纯镍做粘接层,但镍膜层和金膜导电层之间也会扩散,因此还需要阻挡层,来防止金膜层和镍膜层之间的扩散。阻挡...

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产品详细参数如下:

产品类别

合金靶材

产品简称

NiV

产品全称

Nickel Vanadium

产品纯度

99.9%,99.95%,99.99%

产品形状

平面靶,柱状靶,电弧靶,异型靶

生产工艺

Vacuum Melting

最大尺寸

L4000mm,W≤350mm

镍钒合金靶材产品详情:

  在集成电路的膜层中一般用金做导电层,但金与晶圆(硅)容易生成AuSi低熔点化合物,导致金与硅界面粘接不牢固,因此在金和硅晶圆的表面之间增加了粘接层。一般用纯镍做粘接层,但镍膜层和金膜导电层之间也会扩散,因此还需要阻挡层,来防止金膜层和镍膜层之间的扩散。阻挡层常常采用熔点高的金属,还要承受较大的电流密度,高纯金属钒便能满足该要求。

  所以在集成电路领域会用到镍溅射靶材、钒溅射靶材、金溅射靶材等。镍钒溅射靶材是在镍熔体中加入钒,制成镍钒合金靶材,该合金铁磁性较弱,更有利于磁控溅射,可同时实现镍溅射靶材和钒溅射靶材的优点,一次完成镍层(粘接层)和钒层(阻挡层)的制备。由于镍钒合金无磁性,广泛应用在电子及信息产业等领域。


 Ni-7V wt%靶材规格值

纯度

主成分(wt%)

杂质元素(≤ppm

杂质之和(ppm)

V

Fe

Al

Si

C

N

O

S

99.99

7±0.5

20

30

20

100

30

100

20

100

99.95

7±0.5

200

200

200

100

100

200

50

500

99.9

7±0.5

300

300

300

100

100

200

50

500

  北京瑞弛高科技有限公司提供镍钒靶材,可以根据客户要求定制,如需要更多的信息,敬请联系我们。