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钨合金靶材的作用都有哪些

时间:2022-04-01 作者:北京瑞弛 点击:236次

  钨靶材经常作为物理气相沉积用溅射靶材,在半导体域用于制造栅电、连接布线、分散阻挡层等。钨靶材首要应用于航天、稀土冶炼、电光源、化工设备、医疗器械、冶金机械、熔炼设备、石油、等域。

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  其间,纯钨靶材首要用作金属层间的通孔和笔直触摸的触摸孔的填充物,即钨塞。而钨合金靶材,如WSi2,首要用在栅多晶硅的上部作为多晶硅硅化物结构和局部互联线。跟着半导体芯片尺寸越来越小,铜互连尺寸的缩小导致纳米尺度上电阻率的添加,这已成为限制半导体工业开展的个技术瓶颈。有研究表明,难熔金属钨有望取代铜成为下代的半导体布线金属材料。

  点

  喷涂、烧结后的钨靶,具有99%的密度甚至更高、平均通明纹路的直径为100um甚至更小、含氧20ppm或更少,偏转角力为500Mpa左右的性;提高未加工金属粉末的出产,提高烧结的才能,可以使钨靶的成本稳定在个低价位。烧结后的钨靶密度高,具有传统的压制烧结方法所无法到达的高水准的通明框架,而且明显改善了偏转角力,致使颗粒物显著的削减。

  物理性质

  元素符号: W

  原子序数: 74

  稳定同位素及其所占%: 180(0.14);182(26.41); 183(14.40);184(30.64);186(28.41)

  相对原子质量: 183.85

  自由原子的电子层结构: 1s22s22p63s23p63d104s24p64d104f145s25P65d46S2

  原子体积: 9.53 cm3/mol

  密度: 19.35 g/cm3

  晶体结构及晶格常数: α-W:体心立方 a=3.16524 nm(25℃)

  β-W:立方晶格 a=5.046 nm(630℃以下稳定)

  熔点: 3410±20℃

  沸点: 5927℃

  熔化潜热: 40.13±6.67kJ/mol

  升华热: 847.8 kJ/mol(25℃)

  蒸发热: 823.85±20.9kJ/mol(沸点)

  电阻温度系数: 0.00482 I/℃

  电子逸出功: 4.55 eV

  热中子俘获面: 19.2 b

  弹性模量: 35000~38000 MPa(丝材)

  扭力模量: ~36000Mpa

  体积模量: 3.108×1011-1.579×107t+0.344×103t2 Pa

  剪切模量: 4.103×1011-3.489×107t+7.55×103t2 Pa

  压缩性: 2.910-7 cm/kg

  钨有两种变型,α和β。在标准温度和常压下,α型是稳定的体心立方结构。β型钨只有在有氧存在的条件下才能出现。它在630℃以下是稳定的,在630℃以上又转化为α钨,并且这过程是不可逆的。

  纯度:钨99.95%以上

  密度:19.35g/cm3

  表面状态:磨光或碱洗