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什么是多晶硅靶材

时间:2022-07-26 作者:北京瑞弛 点击:635次

  什么是多晶硅靶材

  多晶硅是一种重要的溅射靶材材料,使用磁控溅射方法制备SiO2等薄膜层,能够使基体材料具有更好的光学、介电及抗蚀性能,被广泛应用到触摸屏、光学等行业中。

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  铸造长晶工艺,是经过精确控制铸锭炉热场中的加热器温度、隔热材料的散热量,来实现液态硅从底部开始逐渐向顶部的定向凝固,凝固长晶速度为0.8~1.2cm/h。同时在定向凝固过程中,能够实现金属元素在硅材料中的分凝效应,实现大多数金属元素的提纯,并形成了均匀的多晶硅晶粒组织。

  铸造多晶硅在生产过程中还需进行有意掺杂,其目的是改变硅熔体中受主杂质的浓度。行业内P型铸造多晶硅的主要掺杂剂是硅硼母合金,其中硼含量在0.025%左右。掺杂量由硅片的目标电阻率决定,电阻率最优值为0.02 ~0.05 Ω•cm,对应硼的浓度约为2×1014cm-3。但是,硼在硅中的分凝系数为0.8,会在定向凝固过程中表现出一定的分凝效应,即硼元素在铸锭竖直方向上呈梯度分布,并导致电阻率由铸锭底部到顶部逐渐减小。