北京瑞弛高科技有限公司
24小时咨询热线:4006991969         18600758298     
联系我们
北京瑞弛高科技有限公司
全国免费服务热线:400-699-1969
销售热线:010-62256731
销售一部:18501292991 谭先生
销售二部:18501292930 苑女士
销售三部:13264578403 王女士
销售四部:15652351154 冯女士
技术咨询:18600758298 穆经理
邮箱:sales@rsmaterial.com
地址 :北京市海淀区交大东路46号301A,301B
您的位置: 首页>>新闻资讯>>正文
新闻资讯

什么是多晶硅溅射靶材

时间:2022-04-20 作者:北京瑞弛 点击:214次

  多晶硅靶材是一种重要的溅射靶材资料,运用磁控溅射办法制备SiO2等薄膜层,可以使基体资料具有更好的光学、介电及抗蚀性能,被广泛应用到触摸屏、光学等行业中。

靶材,溅射靶材,多晶硅溅射靶材

  铸造长晶工艺,是经过准确操控铸锭炉热场中的加热器温度、隔热资料的散热量,来实现液态硅从底部开始,逐步向顶部的定向凝结,凝结长晶速度为0.8~1.2cm/h。同时在定向凝结过程中,可以实现金属元素在硅资料中的分凝效应,实现大多数金属元素的提纯,并形成了均匀的多晶硅晶粒安排。

  铸造多晶硅在生产过程中还需进行有意掺杂,其目的是改变硅熔体中受主杂质的浓度。行业界P型铸造多晶硅的主要掺杂剂是硅硼母合金,其中硼含量在0.025%左右。掺杂量由硅片的目标电阻率决议,电阻率最优值为0.02 ~0.05 Ω?cm,对应硼的浓度约为2×1014cm-3。可是,硼在硅中的分凝系数为0.8,会在定向凝结过程中表现出必定的分凝效应,即硼元素在铸锭竖直方向上呈梯度散布,并导致电阻率由铸锭底部到顶部逐步减小。