产品类别 | 合金靶材 |
产品简称 | TiAlV |
产品全称 | Titanium aluminum vanadium |
产品纯度 | 99.7%，99.9%，99.95% |
产品形状 | 平面靶，柱状靶，电弧靶，异型靶 |
生产工艺 | Vacuum Melting，PM |
最大尺寸 | L≤2000mm,W≤200mm |
钛铝钒合金靶材产品详情：
钛铝钒靶材是由高纯钛、铝、钒熔炼铸造得到的靶材，其纯度高，导电性能好，钛铝钒合金即α+β型钛合金，是一种常见的合金类金属，在日常生活中用处很多。有TC3（含有4.5%～6.0%铝和3.5%～4.5%钒）、TC4（含有5.5%～6.8%铝和3.5%～4.5%钒）和TC10（含有5.5%～6.5%铝、5.5%～6.5%钒、1.5%～2.5%锡、0.35%～1.0%铁和0.35%～1.0%铜）。铝和钒起固溶强化和稳定β相的作用。
MEMS红外探测器使器件吸收到的热量尽可能多的保留在桥面上，这就需要桥臂材料的热导较低，即桥臂材料的热导率较低方可达到要求。常用红外探测器的桥臂材料主要有T1、A1、NiCr合金等，Ti是业界作为桥臂材料使用最为广泛的，但其膜厚小于0.02um时易氧化的缺点制约了在低热导方面的应用，A1因其热导太大在桥臂材料的使用方面受到限制，NiCr合金干法刻蚀工艺无法实现。因此，亟需一种热导小、工艺易实现、化学稳定性好等综合性能最佳的材料。TiAlV薄膜能够有效降低红外探测器的热导，提高红外探测器的响应率。
TiAlV与氮气反应溅射生成TiAlVN薄膜，与TiAlN薄膜相比有很多优异的性能。TiAlN薄膜属于面心立方(fcc)和六方密排(hcp)二重结构,晶格常量比TiAlN薄膜小,晶粒尺寸比TiAlN薄膜大,含 V10.20%的TiAlVN薄膜质量相对较好;TiAlN薄膜的腐蚀电流明显小于TiAlN薄膜,抗腐蚀性能增强,含V10.20%的TiAlVN薄膜 的抗腐蚀性能约为TiAlN薄膜的4倍.
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