纯度是靶材的首要功用指标之一，由于靶材的纯度对薄膜的功用影响很大。不过在实践使用中，对靶材的纯度要求也不尽相同。例如，跟着微电子工作的迅速发展，硅片标准由6”, 8“发展到12”, 而布线宽度由0.5um减小到0.25um,0.18um甚至0.13um，从前99.995%的靶材纯度可以满足0.35umIC的工艺要求，而制备0.18um线条对靶材纯度则要求99.999%甚至99.9999%。
杂质含量
溅射靶材固体中的杂质和气孔中的氧气和水气是堆积薄膜的首要污染源。不同用处的靶材对不同杂质含量的要求也不同。例如，半导体工业用的纯铝及铝合金靶材，对碱金属含量和放射性元素含量都有特殊要求。
密度
为了减少靶材固体中的气孔，进步溅射薄膜的功用，一般要求靶材具有较高的密度。靶材的密度不仅影响溅射速率，还影响着薄膜的电学和光学功用。靶材密度越高，薄膜的功用越好。此外，进步靶材的密度和强度使靶材能更好地承受溅射过程中的热应力。密度也是靶材的要害功用指标之一。
晶粒标准及晶粒标准分布
一般靶材为多晶结构，晶粒大小可由微米到毫米量级。对于同一种靶材，晶粒细小的靶的溅射速率比晶粒粗大的靶的溅射速率快;而晶粒标准相差较小(分布均匀)的靶溅射堆积的薄膜的厚度分布更均匀。
